DRAMの測定では、一般的に、以下のような試験を行います。
コンタクト試験
ICとソケットの接続を確認します。
Current and Voltage Measurements for MemoryIPを使用することによって、確認することができます。
Current and Voltage Measurements for MemoryIPは、信号ピンの電流・電圧を測定するアルゴリズムIPです。 電流・電圧を測定する前に、パターン・プログラムを実行することができます。 また、測定値に対してリミット値を設定することができ、良否判定を行うことができます。
リーク電流試験
ICの入力ピン、入出力ピンのリークを測定します。
Current and Voltage Measurements for MemoryIPで測定することができます。
ファンクション試験
メモリセルに対して書き込み/読み出しを行い、メモリセルが正常に動作することを確認します。
Functional Testing for MemoryIPで確認することができます。 Functional Testing for MemoryIPでは、各信号ピンのタイミング、電圧の設定、電源電圧値の設定、動作を定義するパターン・プログラムの選択ができます。 NGの場合、コンソールに異常なI/O、アドレスなどの情報を表示します。 また、周波数や電源電圧の設定を変えることによって、実力やマージンも確認することも可能です。
電源電流試験
指定された条件で電源電流を測定します。
Power Supply Current Measurement for MemoryIPで測定することができます。 Power Supply Current Measurement for MemoryIPでは、パターン・プログラムを実行し、スタンバイ状態、動作状態など特定の動作状態で測定することができます。 また、指定したリミット値で、測定結果を判定することができます。
バンプ試験
１つのパターンプログラム内で電源電圧を変更してファンクション試験を実施します。
Functional Testing for MemoryIPとCondition Table Memory_TypeF Licenseを使って実施することができます。 リード時とライト時の電源電圧を変えて試験を実施することも可能です。
AC試験(2次元シュムー)
任意のパラメータを変更しながらファンクション試験を実施します。
Shmoo Plot Tool for Memoryを利用することにより、自動でシュムーを取得することができます。
不良セルの解析
不良セルをマップイメージに表示します。
Functional Testing for MemoryIPとFail Bit Map Tool for Memoryを利用することによって実施することができます。 Fail Bit Map Tool for Memoryは、機能試験の結果を2次元マップで表示します。任意に物理的配置(フィジカルイメージ)を定義することができるので、セルを物理的配置で表示します。
また、Fail Bit Map Tool for MemoryはCloudTesting™ Stationを接続していなくても使用することができるため、Fail Bit Mapの解析時にCloudTesting™ Stationを占有しません。
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